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多晶氮化鋁 本院創新開發8吋晶圓級氮化鋁 • 電絕緣性良好。 • 高熱導性，熱傳導係數>170 W/mK。 • 低熱膨脹係數。 • 機械強度優越。 • 可導入高功率電子元件或高亮度LED等

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氮化鋁鎵／氮化鎵異質結構的電性傳輸
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成大搭起國內首座創業平臺 催生國內第一家氮化鋁產業的誕生 成大6日與金鋁公司簽約共同投資生產氮化鋁

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陶瓷基板 (Ceramic PCB， Ceramic Substrate)
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演講公告20200310—以射頻濺鍍法製備氮化鋁薄膜及其應用

2020-03-09 16:30:07 陳秋雲 演講公告20200310—以射頻濺鍍法製備氮化鋁 薄膜及其應用 回列表頁 ABOUT US FRESHWATER SALTWATER SHIPPING EVENT NEWS CONTACT US SITEMAP US 交通大學電子工程學系暨研究所 地址 300 新竹市大學路 1001 號